深圳市南森伟业电子有限公司

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供应LTC4412 - 采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPathTM 控制器
供应LTC4412 - 采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPathTM 控制器
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供应LTC4412 - 采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPathTM 控制器

型号/规格:

LTC4412ES6#TRPBF

品牌/商标:

LT(凌力尔特)

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产品信息

特点

  • 电源 “合路” 二极管的非常低损耗型替代方案
  • 极少的外部元件
  • DC 电源之间的自动切换
  • 简化了采用多个电池时的负载均分
  • 低静态电流:11μA
  • 3V 至 28V AC/DC 适配器电压范围
  • 2.5V 至 28V 电池电压范围
  • 电池反向保护
  • 可驱动几乎任何大小的 MOSFET,以满足宽电流范围要求
  • MOSFET 栅极保护箝位
  • 手动控制输入
  • 扁平 (高度仅 1mm) ThinSOTTM 封装
  • 描述

    LTC®4412 控制一个外部 P 沟道 MOSFET,以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作,旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时,MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电源的应用,当辅助电源接入时,负载将自动地与电池断接。可通过两个或更多 LTC4412 的互连来实现多个电池之间的负载均分或从单个充电器来对多个电池进行充电。 

    LTC4412 的宽电源工作范围支持采用 1 至 6 节串联锂离子电池来提供工作电源。低静态电流 (典型值为 11μA) 与负载电流无关。栅极驱动器包括一个用于 MOSFET 保护的内部电压箝位。 

    当检测到一个辅助电源时,可采用 STAT 引脚来使能一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关。该引脚还可被用于在接入了一个辅助电源时向微控制器发出指示信号。控制 
    (CTL) 输入使得用户能够强制关断主 MOSFET,并将 STAT 引脚置于低电平。 

    LTC4412 采用扁平 (高度仅 1mm) ThinSOT 封装。